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2011年7月 6日 (水)

第7回MEMS標準化ワークショップ

 IEC SC47F/WG1国際標準化会議に引き続き、6月24日に沖縄コンベンションセンターにて、MEMS標準化ワークショップが開催されました。今回は中国が不参加のため日韓2国のみでしたが、将来の標準化に向けて開発している内容や、MEMSに関連する研究開発のトピックスが各国より紹介され、それぞれの発表に対して活発に質疑応答がなされました。各発表の概要を以下に示します。

1)“ Research trends of thermoelectric devices and the related works in ETRI(熱電デバイスと関連研究の動向) “   Hojun Ryu、 ETRI(韓国電子通信研究所)
 最初にETRIについて紹介した後、アメリカのエネルギーフロー図を示しながら熱伝素子の将来にわたる重要性が説明されました。また、熱伝素子の発電メカニズムと応用への問題点を説明した後、世界で行われている研究のおもな成果が報告されました。最後に韓国のETRIで行われている関連研究が紹介され、今後の熱伝素子に関する国際標準化への方針が説明されました。
 国際標準としておもに発電効率ZT値を計測するための方法と回路パターンおよび計測パラメーターが考えられています。

2)“Evaluation of adhesive strength for microsized materials in MEMS(MEMSにおけるミクロスケール材料の接合強度の評価)“ 石山千恵美、東京工業大学
 はじめにMEMSデバイスに用いられる構造材料の評価試験方法が紹介されました。この試験方法に関してはすでにIECのCDVとなっており規格化中ですが、この試験方法を応用し、超臨界炭酸ガス環境での微細パターンの洗浄に関する研究成果が発表されました。特に超臨界炭酸ガス洗浄は洗浄力が非常に強いが、構造物の基板への接着強度を低下させるおそれがあることが従来指摘されていました。しかし、超臨界からの減圧過程が重要であり、条件次第では強度劣化を伴わない洗浄方法があることが発表されました。

3)“ Measurement methods of residual stress of thin films on MEMS devices(MEMSデバイスにおける薄膜の残留応力の測定法)” Sekwang Park、Kyungpook国立大学
 最初に、このタイトルは今後韓国からの国際標準に提案されるものであることが述べられました。まず残留応力の評価の重要性、分類方法、計測法の概略が述べられ、次に放射線計測など各計測法についての特徴などが述べられました。今後これらの計測法について国際標準化を行っていくことが発表されました。司会進行役より、標準化を提案する場合は実際の計測限界寸法を記載するよう依頼されました。

4)“ Micro-Geometric Specifications & Measurements of 3D MEMS Structures for International Standardization (MEMS3次元構造の形状計測法)“ 磯野吉正、神戸大学
 高アスペクトを有する3次元MEMS構造の形状測定法について報告がありました。ボッシュプロセスを用いたトレンチ構造、異方性エッチングにより作製した針(三角錐構造)を試料とし、FE-SEM、白色干渉計(Coherence Scanning Interferometer), Optical trapped probing CMM (coordinate measuring machine), 触針式段差計, 共焦点レーザ顕微鏡,AFM,光学顕微鏡による測定結果を比較しています。これらの成果を元に今後NP提案を行う予定です。

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